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IT之家 4 月 19 日音问，英特尔本日告示其已在位于好意思国俄勒冈州希尔斯伯勒的 Fab D1X 研发晶圆厂完成宇宙首台商用 High NA（0.55NA） EUV 光刻机的拼装责任，现在已进入光学系统校准阶段。

这台光刻机型号 TWINSCAN EXE:5000，为 ASML 的首代 High NA EUV 光刻机，价值约 3.5 亿好意思元（IT之家备注：现时约 25.38 亿元东说念主民币）。

就在不久前 ASML 告示其在荷兰埃因霍温总部的另一台 High NA EUV 光刻机奏效绘图了 10nm 线宽的密集线图案。

英特尔示意 High-NA EUV 光刻机可领有 1.7 倍于现在 0.33NA EUV 光刻机的一维密度，这意味着在二维表率上可兑现 190% 的密度普及。

收受 High-NA EUV 光刻机，不错更淡雅的表率制造分娩半导体，络续股东摩尔定律。

英特尔计较从 2025 年的 18A 新工夫考证节点启动，在先进芯片成立和制造中同期使用 0.55NA 和 0.33NA 的 EUV 光刻机。

此外英特尔还计较购买下一代 TWINSCAN EXE:5200B 光刻机，新机型晶圆浑沌量卓著每小时 200 片。

不外字据IT之家此前报说念，ASML 在 2021 年时对后 EXE:5000 居品的名称是 EXE:5200。暂不了了 EXE:5200B 是 EXE:5200 的更名仍是纠正型号。

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